隨著5G、新能源車的快速發(fā)展,我國第三代半導體也正面全面爆發(fā)。

據(jù)第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露,雙循環(huán)模式推動國產(chǎn)化替代,2020年中國SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計將約為70億元。

市場規(guī)模擴大,5G加速推進GaN射頻應(yīng)用迅猛增長,2020年中國GaN射頻器件市場規(guī)模約170億元;新能源汽車及消費電子成為突破口,2020年中國電力電子器件應(yīng)用市場規(guī)模58.2億元。

吳玲建議,探索構(gòu)建第三代半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新生態(tài),摸索“平臺+孵化器+基金+基地”以及大中小企業(yè)融通發(fā)展的新模式,加強精準的國際與區(qū)域深度合作,共同努力使全鏈條進入世界先進行列。

需要注意的是,氮化鎵的應(yīng)用范圍不只在快充、智能手機等消費類電子領(lǐng)域,還有數(shù)據(jù)中心、柔性供電等工業(yè)領(lǐng)域,以及自動駕駛、車載充電機等汽車領(lǐng)域。如,低壓氮化鎵可應(yīng)用于新一代大數(shù)據(jù)中心,以減少占地、提高功率、降低能耗。

第三代半導體另一個重要產(chǎn)品碳化硅,則將受益于電動汽車行業(yè)的快速成長而迎來爆發(fā)機會。