近日消息，索尼新一代旗艦手機Xperia 1 V在香港的戶外宣傳海報流出，并稱新機將搭載“次世代雙倍低噪感光元件”。早在4月27日，索尼官博@索尼-Xperia 便宣布即將在5月11日發(fā)布新一代旗艦手機Xperia 1 V。

從海報能夠看到，索尼Xperia 1 V的外觀與前代差別不大，使用了直角邊框設(shè)計，后蓋延續(xù)了豎條形攝像頭Deco，輔以中置索尼logo彰顯身份。此外，能夠看到此次Xperia 1 V將會有三顆攝像頭，且仍然使用了蔡司T*鏡頭鍍膜。

官博稱，索尼Xperia新品將搭載“Next-gen Sensor”（次世代傳感器），結(jié)合戶外海報所稱“次世代雙倍低噪傳感器”，預(yù)計此次索尼Xperia 1 V在影像硬件方面將搭載一種“雙層晶體管像素結(jié)構(gòu)”堆棧式CMOS傳感器(Stacked CMOS Image Sensor Technologywith 2-Layer Transistor Pixel)。

（傳統(tǒng)堆棧式CMOS與新型雙層結(jié)構(gòu)堆棧式CMOS傳感器結(jié)構(gòu)區(qū)別示意圖）

2021年12月16日，索尼半導(dǎo)體發(fā)布了這一種全新的CMOS傳感器。從命名和結(jié)構(gòu)示意圖可以看出，這種CMOS傳感器類似于已廣泛使用的堆棧式CMOS傳感器。

傳統(tǒng)堆棧式CMOS單顆像素由光電二極管與像素晶體管組成，并將處理電路放置在最下方以取代背照/前照式CMOS傳感器的基板，大幅提升了圖像處理能力。

而新型的雙層結(jié)構(gòu)堆棧式CMOS傳感器則是將用于感光的光電二極管與用于放大信號的像素晶體管分離，將像素晶體管移至光電二極管下方，加上處理電路共同組成新的堆棧結(jié)構(gòu)。

這一做法使得光電二極管可以獲得更大的感光面積。而像素晶體管也由于具備更大的空間，降低了信號放大時的雜訊，能夠生成噪點更少觀感更純凈的圖像。索尼表示，雙層結(jié)構(gòu)CMOS大約“將飽和信號水平提高了一倍”。

但據(jù)消息稱，將光電二極管堆疊在晶體管上需要極高的對準精度，而且鍵合溫度遠高于普通CMOS傳感器的結(jié)構(gòu)，這使得大規(guī)模生產(chǎn)雙層結(jié)構(gòu)堆棧式CMOS傳感器的難度非常高。

編輯點評：索尼不愧是“技術(shù)狂人”，若其實際表現(xiàn)與索尼說法相符，那么這一新型CMOS將改變現(xiàn)有影像器材的格局，35mm全畫幅CMOS也能夠達到44x33中畫幅CMOS的感光能力，更不用說能夠給手機上更小的CMOS帶來多大的提升。若此次Xperia 1 V搭載了這一新型CMOS，猜測索尼目前的制造工藝可能只是能夠生產(chǎn)物理上較小的CMOS，而要生產(chǎn)更大畫幅CMOS則可能需要更多的時間攻克技術(shù)難題。