近期，存儲芯片市場迎來了新一輪的漲價(jià)潮，多家存儲頭部企業(yè)紛紛宣布提高部分產(chǎn)品報(bào)價(jià)。國內(nèi)存儲企業(yè)也緊跟步伐，紛紛上調(diào)提貨價(jià)格。在1個(gè)月之前，業(yè)界還普遍預(yù)估存儲芯片價(jià)格有望在今年6月份或7月份啟動(dòng)上漲，如今上漲提前到來，存儲市場是否進(jìn)入了復(fù)蘇期？

各大廠商集體提價(jià)底氣來源于源自供需兩端的雙重激勵(lì)

2025年5月初，三星與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致，并表示半導(dǎo)體行業(yè)整體DRAM價(jià)格都在上漲，這也是三星近一年來首次上調(diào)DRAM價(jià)格，具體比例因客戶而異，但平均上調(diào)率已確定，DDR4將上調(diào)20%，DDR5上調(diào)約5%；閃迪宣布自4月1日起所有產(chǎn)品提價(jià)超過10%；美光不僅表示將針對新訂單提高價(jià)格，平均漲幅約11%，還在3月25日發(fā)布漲價(jià)函，預(yù)計(jì)此次漲價(jià)幅度將在10%~15%；SK海力士也表示，其DDR5和eMMC存儲芯片現(xiàn)貨價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲12%左右。

國內(nèi)存儲企業(yè)也緊跟步伐，紛紛上調(diào)提貨價(jià)格。長江存儲旗下零售品牌致態(tài)宣布將于4月起上調(diào)提貨價(jià)格，漲幅可能超過10%。這一輪價(jià)格上漲的速度和幅度均超出了業(yè)內(nèi)原先的預(yù)期。在1個(gè)月之前，業(yè)界還普遍預(yù)估存儲芯片價(jià)格有望在今年6月份或7月份啟動(dòng)上漲，如今上漲提前到來，存儲市場是否進(jìn)入了復(fù)蘇期？

專家表示，這一輪漲價(jià)潮的主要原因在于存儲芯片市場供需兩端發(fā)生了明顯變化。供給端的減產(chǎn)策略與需求端的新興需求崛起，共同推動(dòng)了市場的復(fù)蘇與價(jià)格的上漲。

目前，各大企業(yè)減產(chǎn)策略成效顯著。2025年年初，由于智能手機(jī)和筆記本電腦等核心消費(fèi)性電子產(chǎn)品出貨量持續(xù)低迷，供應(yīng)商對2025年上半年需求看法并不樂觀，為避免進(jìn)一步削弱利潤率，美光、鎧俠、閃迪、三星和SK 海力士等NAND Flash大廠紛紛啟動(dòng)減產(chǎn)計(jì)劃。主要通過降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級等方式達(dá)成減產(chǎn)目的。

以美光為例，其在2024財(cái)年凈虧損達(dá)50.66億美元，為了應(yīng)對這一困境，美光從2024年9月開始削減NAND Flash閃存產(chǎn)量，并計(jì)劃將減產(chǎn)幅度擴(kuò)大至30%。三星也在2024年11月宣布減產(chǎn)，目標(biāo)是將NAND Flash芯片產(chǎn)量減少15%~20%。這些減產(chǎn)行動(dòng)使得市場上NAND Flash的供應(yīng)量得到有效控制，為產(chǎn)品價(jià)格反彈鋪墊了基礎(chǔ)。隨著價(jià)格觸底、市場開始補(bǔ)庫存，模組廠和OEM廠開始加大采購，Enterprise SSD回溫更帶動(dòng)高端Wafer產(chǎn)品需求。集邦的最新調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2025年第二季度，NAND Flash價(jià)格將比第一季度上漲不超過0%~5%；3D NAND Wafers（多層垂直堆疊閃存晶圓）價(jià)格將環(huán)比上漲10%~15%；Client SSD（消費(fèi)級固態(tài)硬盤）價(jià)格將環(huán)比上漲3%~8%。

此外，AI應(yīng)用的“火力全開”成為驅(qū)動(dòng)存儲芯片市場需求快速提升的關(guān)鍵因素。隨著AI技術(shù)在各領(lǐng)域的深入應(yīng)用，對存儲芯片的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。特別是在AI服務(wù)器領(lǐng)域，需求增長尤為顯著。2024年第二季度全球服務(wù)器市場收入達(dá)到了454.22億美元，與去年同期相比增長了35%，AI服務(wù)器在整體服務(wù)器市場中的占比也持續(xù)攀升，現(xiàn)已接近30%。

AI服務(wù)器是智算中心提供AI計(jì)算能力的核心硬件，專為滿足AI計(jì)算任務(wù)的高性能需求而設(shè)計(jì)。AI大模型需要用海量的數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練、推理等，對數(shù)據(jù)進(jìn)行深度挖掘后，再推送給通用數(shù)據(jù)中心，數(shù)據(jù)規(guī)模、數(shù)據(jù)調(diào)配工序?qū)⒊尸F(xiàn)爆發(fā)式增長，數(shù)據(jù)中心內(nèi)部流量傳輸將更加密集，因此，對存儲產(chǎn)品的需求也越來越高。

是德科技大中華區(qū)高速數(shù)字市場部經(jīng)理李堅(jiān)表示：“原來的人工智能做到是小算力、小模型，后來變成了中算力、中模型，而今天行業(yè)內(nèi)做的是真正的大模型、大算力，大算力的一個(gè)非?；A(chǔ)的要求就是大帶寬、大量的數(shù)據(jù)交換。存儲方面，數(shù)據(jù)中心一般使用的DDR4、DDR5系列產(chǎn)品，速率在8.4GT/s。我們預(yù)計(jì)未來會(huì)上升到DDR6或DDR7。此外，我們很可能會(huì)使用HBM3、HBM3E或HBM4。和今天的DDR產(chǎn)品相比，會(huì)有一個(gè)數(shù)量級的提升。”

不僅如此，AI在智能手機(jī)、個(gè)人電腦、智能穿戴等領(lǐng)域的加速滲透，也進(jìn)一步推動(dòng)了對更高容量和更高性能存儲芯片的需求。目前AI手機(jī)的DRAM配置已提升至16GB，AI個(gè)人電腦設(shè)備的內(nèi)存容量也普遍已經(jīng)達(dá)到32GB。此外，智能汽車有望引入開源大模型，也將進(jìn)一步提升存儲需求，這些都成為了存儲市場復(fù)蘇的關(guān)鍵推動(dòng)力。

存儲市場周期性與結(jié)構(gòu)性變化交織

回顧過去幾年，存儲市場歷經(jīng)從下行周期到復(fù)蘇的復(fù)雜歷程。自2021年第三季度起，存儲市場遭受重創(chuàng)，DRAM價(jià)格下跌57%，NAND價(jià)格同期下跌55%。這一時(shí)期，存儲芯片產(chǎn)業(yè)陷入長達(dá)近兩年的下行周期。市場下行主要源于供應(yīng)商生產(chǎn)過剩，以及市場需求衰退，使得存儲芯片市場供需失衡嚴(yán)重。加上全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的不確定性、消費(fèi)電子市場的飽和，進(jìn)一步?jīng)_擊終端設(shè)備銷量。2022年，全球智能手機(jī)出貨量為12.1億部，同比下降11.3%；全球PC出貨量為2.92億臺，同比下降28.5%，創(chuàng)下自2009年以來的最大年度跌幅。

為扭轉(zhuǎn)局面，各大存儲芯片廠商紛紛減產(chǎn)。鎧俠及美光率先在2022年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn)，三星于2023年第二季度跟進(jìn)。截至2023年9月，三星削減NAND產(chǎn)量，減產(chǎn)幅度提升到50%，減產(chǎn)領(lǐng)域集中在128層以下制程；SK海力士下半年再減少NAND Flash產(chǎn)量5%~10%；鎧俠減少產(chǎn)能50%；美光NAND Flash產(chǎn)能減少30%。

從2023年下半年開始，市場出現(xiàn)積極變化。減產(chǎn)效應(yīng)逐漸顯現(xiàn)，終端需求也逐步回暖，存儲芯片市場開始走出下行周期。從2023年10月到截止到2023年年底，現(xiàn)貨市場NAND Flash價(jià)格指數(shù)漲幅達(dá)40%。以三星、西部數(shù)據(jù)以及金士頓為代表的固態(tài)硬盤產(chǎn)品，價(jià)格顯著回升，回升幅度普遍在100元至130元之間。需求端數(shù)據(jù)同樣向好，2023年10月23日至11月3日期間，整體PC市場銷量同比上升1.4%，平板市場銷量同比增長13.5%，手機(jī)市場銷量同比增長10.2%%。

進(jìn)入2024年，全球AI浪潮興起，成為推動(dòng)存儲需求爆發(fā)的關(guān)鍵因素，疊加終端需求持續(xù)回暖，存儲芯片市場加速復(fù)蘇，行業(yè)景氣度攀升，價(jià)格上漲幅度擴(kuò)大。2024年第一季度，存儲銷售額同比增長86%。DRAM芯片合約價(jià)格上漲多達(dá)20%，NAND Flash上漲多達(dá)23%~28%。到2024年第二季度，DRAM合約價(jià)季漲幅上修至13%~18%，NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15%~20%，延續(xù)強(qiáng)勁勢頭。行業(yè)頭部企業(yè)業(yè)績大幅增長，三星2024年第一季度營業(yè)利潤激增931%；SK海力士2024年第一季度盈利超150億元人民幣，而去年同期該公司還虧損136億元。

但到了2024年下半年，存儲芯片市場又發(fā)生了動(dòng)蕩，從價(jià)格走勢來看，在上半年普遍上漲之后，下半年市場走向急轉(zhuǎn)直下，出現(xiàn)了明顯的價(jià)格回落。自2024年第三季度起，存儲價(jià)格逐季下滑，進(jìn)入第四季度，這種跌勢愈發(fā)明顯，以消費(fèi)類存儲產(chǎn)品為例，價(jià)格下跌幅度高達(dá)30%，企業(yè)級存儲產(chǎn)品價(jià)格也出現(xiàn)10%~20%的下滑。三星、美光、SK海力士、西部數(shù)據(jù)等企業(yè)繼續(xù)使用減產(chǎn)策略應(yīng)對，使得DRAM和NAND市場價(jià)格連續(xù)下跌，尤其是成熟制程的DDR4和LPDDR4X產(chǎn)品，價(jià)格壓力極為突出。但HBM乘著GPU的東風(fēng)狂漲500%，市場份額不斷擴(kuò)大，LPDDR5x、DDR5等新一代存儲芯片的應(yīng)用也在一定程度上緩沖了整體市場的下行壓力。

而長江存儲、長鑫存儲等國內(nèi)廠商，憑借本土供應(yīng)鏈響應(yīng)優(yōu)勢以及在部分技術(shù)領(lǐng)域的突破，在國內(nèi)市場份額逐步提升，同時(shí)積極拓展海外市場，通過差異化競爭策略，在全球存儲芯片市場中分得一杯羹。

再到2025年，存儲市場逐漸進(jìn)入復(fù)蘇期，專家認(rèn)為，5年期間，存儲市場既有傳統(tǒng)周期性波動(dòng)因素作用，又受到AI等新興需求的影響，雖短期內(nèi)市場波動(dòng)復(fù)雜難辨，但長期來看，存儲市場可能不會(huì)完全遵循過往典型的周期性規(guī)律，而是進(jìn)入周期性與結(jié)構(gòu)性變化交織的新階段，周期性特征或有所弱化或變形。

中國存儲企業(yè)迎來了發(fā)展新機(jī)遇

在存儲芯片市場新一輪漲價(jià)潮以及行業(yè)格局變動(dòng)的大背景下，中國存儲企業(yè)迎來了諸多發(fā)展機(jī)遇，有望在市場份額拓展、技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)等方面實(shí)現(xiàn)突破，提升在全球存儲芯片市場中的競爭力。

市場份額拓展層面，國際存儲巨頭因減產(chǎn)推高價(jià)格，為中國企業(yè)打開了價(jià)格競爭空間。長江存儲憑借Xtacking技術(shù)，將存儲單元與控制電路分離制造，通過混合鍵合技術(shù)解決信號干擾與散熱難題，在提升芯片讀寫速度的同時(shí)，將生產(chǎn)成本降低約30%，這種“高性能+高性價(jià)比”組合使其在消費(fèi)級SSD市場快速滲透，2024年全球NAND Flash市場份額從6%提升至9%。長鑫存儲則聚焦DRAM領(lǐng)域，其17nm DDR4產(chǎn)品已通過三星、聯(lián)想等頭部客戶認(rèn)證，2024年DRAM出貨量同比增長55%，在全球市場份額突破5%。此外，國內(nèi)廠商依托本土供應(yīng)鏈響應(yīng)優(yōu)勢，在華為、小米等終端品牌的本土化配套需求中占據(jù)先機(jī)，華為2024年發(fā)布的Mate70系列手機(jī)中，長江存儲的UFS 3.1芯片搭載比例達(dá)60%，較2023年提升40%。

技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域，兆易創(chuàng)新在Serial NOR Flash市場持續(xù)領(lǐng)跑，2024年通過近存計(jì)算技術(shù)研發(fā)，將芯片延遲降低至5ns以下，其車規(guī)級產(chǎn)品已進(jìn)入比亞迪、蔚來等車企的供應(yīng)鏈。佰維存儲則在先進(jìn)封測領(lǐng)域發(fā)力，投資12億元建設(shè)的12英寸晶圓級封測產(chǎn)線投產(chǎn)，可實(shí)現(xiàn)HBM3E級別的256層芯片堆疊，2024年研發(fā)投入占比達(dá)18%，推動(dòng)其AI服務(wù)器存儲解決方案收入同比增長210%。

存儲芯片市場的新一輪漲價(jià)潮，既是市場供需關(guān)系調(diào)整的結(jié)果，也是行業(yè)技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用拓展的體現(xiàn)，為存儲企業(yè)帶來了拓展市場份額、推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新和完善產(chǎn)業(yè)生態(tài)的新機(jī)遇，同時(shí)也促使企業(yè)加大研發(fā)投入，提升技術(shù)創(chuàng)新能力，加強(qiáng)與產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的合作，共同應(yīng)對市場的不確定性。